Carburo de silicio

El carburo de silicio, también llamado carborundo, carborundio o carburindón (sic) es un carburo covalente de estequiometría 1:1 y que tiene una estructura de diamante, a pesar del diferente tamaño del C y Si, que podría impedir la misma. Debido en parte a su estructura, es casi tan duro como el diamante, alcanzando durezas en la escala de Mohs de 9 a 9,5, por lo que además se usa como material abrasivo.

Carburo de silicio
Muestra de carburo de silicio en forma de bola.
Nombre IUPAC
Carburo de silicio
General
Otros nombres	Methanidylidynesilylium Carborundo Moissanita
Fórmula molecular	SiC
Identificadores
Número CAS	409-21-2[1]​
Número RTECS	VW0450000
ChEBI	29390
ChemSpider	9479
PubChem	9863
UNII	WXQ6E537EW
SMILES [C-]#[Si+]
InChI InChI=1S/CSi/c1-2 Key: HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N
Propiedades físicas
Apariencia	Cristales incoloros
Densidad	3210 kg/m³; 3,21 g/cm³
Masa molar	39,977 g/mol
Punto de descomposición	3003 K (2730 °C)
Índice de refracción (nD)	2,55 (infrarrojos; todos los politipos)[2]​
Peligrosidad
NFPA 704	0 1 0
Valores en el SI y en condiciones estándar (25 ℃ y 1 atm), salvo que se indique lo contrario.
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También es conocido como carburindón o «carborindón», palabra formada por carbo- y corindón, mineral famoso por su dureza.

Es un compuesto que se puede denominar aleación sólida, y que se basa en que sobre la estructura anfitrión (C en forma de diamante) se cambian átomos de éste por átomos de Silicio, siempre y cuando el hueco que se deje sea similar al tamaño del átomo que lo va a ocupar.

El carburo de silicio es un material semiconductor (~ 2,4V) y refractario que presenta muchas ventajas para ser utilizado en dispositivos que impliquen trabajar en condiciones extremas de temperatura, voltaje y frecuencia. El Carburo de Silicio puede soportar un gradiente de voltaje o de campo eléctrico hasta ocho veces mayor que el silicio o el arseniuro de galio sin que sobrevenga la ruptura: este elevado valor de campo eléctrico de ruptura le hace ser de utilidad en la fabricación de componentes que operan a elevado voltaje y alta energía, como por ejemplo: diodos, transistores, supresores..., e incluso dispositivos para microondas de alta energía. A esto se suma la ventaja de poder colocar una elevada densidad de empaquetamiento en los circuitos integrados.

Gracias a la elevada velocidad de saturación de portadores de carga (2×10⁷ cm⁻¹) es posible emplear SiC para dispositivos que trabajen a altas frecuencias, ya sean Radiofrecuencias o Microondas. Por último una dureza de ~9 en la escala de Mohs le proporciona resistencia mecánica, que junto a sus propiedades eléctricas hacen que dispositivos basados en SiC ofrezcan numerosos beneficios frente a otros semiconductores.